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      方形氮化鎵自支撐襯底

      產品概述

      方形氮化鎵自支撐襯底

      Free-standing GaN SubstratesSquare


      產品型號

      Item

      JF-061UA-M6

      JF-061NA-M6

      尺寸

      Size (mm)

      (10.0±0.5)×(15.0±0.5);

      Customized

      厚度

      Thickness (μm)

      400±25

      400±25

      總厚度變化

      TTV (μm)

      ≤10

      彎曲度

      BOW (μm)

      ≤10

      表面粗糙度

      RMS (nm)

      ≤0.2 (10μm×10μm)

      晶向

      Orientation

      C-plane(0001) off angle toward M-axis 0.6±0.2°

      C-plane(0001) off angle toward A-axis 0.3±0.25°

      導電類型

      Conduction Type

      Un-doped

      N-type

      電阻率 (300K)

      Resistivity (Ω·cm

      ≤0.5

      ≤0.05

      位錯密度

      Dislocation Density (cm-2)

      9×106

      有效面積 Useable Surface Area

      90%

      包裝

      Package

      Packaged in individual containers in a class 100 clean room environment.


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